Технология на полупроводниковото производство

Трето преработено издание. Учебникът е написан съгласно с утвърдената програма на МНП и е предназначен за учениците от техникумите по електротехника, специалност електронна техника, профил полупроводникова техника. В него са разгледани най-важните съвременни технологии за производство на полупроводникови прибори и интегрални схеми, като вниманието е насочено главно към същността и целите на технологичните операции, изясняването на механизма на процесите и тенденциите на развитие на технологиите.

При написването на учебника авторите са използвали главно съветска литература и своя собствен опит. В сравнение с второто издание материалът в учебника е преработен и допълнен. Разгледани са нови материали и методи за получаването им. Описани са съвременни прогресивни технологии, като електронните и йонните технологии, ядреното легиране, лазерното очистване, технологията на оптоелектронните прибори и интегралните тензопреобразуватели и др.

Важно! Изданието е на много години и наличните бройки не са в перфектния вид, в който обичайно са книгите, които предлагаме.

Техника ООД
София, 1517
р-н Подуяне, ул. Витиня 2Ж, ет. 5
sales@technica.pub

Въведение
Материали, използвани в производството на полупроводникови прибори

• Класификация на материалите
• Чистота на конструктивните и спомагателните материали
• Някои основни сведения за кристалните тела
• Основни свойства на полупроводниковите материали. Видове полупроводникови материали и изисквания към тях
• Получаване на свръхчисти материали по метода на зонното стапяне
• Получаване на германий, силиций и полупроводникови съединения
• Радиационен метод за легиране на силициеви монокристали за силови полупроводникови прибори (ядрен метод)
• Ориентиране на монокристалите
• Измерване на основните параметри на полупроводниковите материали
• Легиращи материали
• Конструктивни и спомагателни материали
• Чиста (дейонизирана) вода. Чисти газове

Работна среда в полупроводниковото производство

• Вакуум. Вакуумни системи
• Чиста среда за производството на полупроводникови прибори

Механична обработка на полупроводниковите материали

• Основни понятия за етапите на полупроводниковата технология
• Нарязване на монокристала на пластини
• Шлифоване на пластините
• Механично и химико-механично полиране на полупроводниковите пластини
• Нарязване (разделяне) на пластината на пластинки или на полупроводникови структури

Обработка на повърхността на полупроводниковите пластини

• Обезмасляване на пластините
• Химично ецване
• Измиване (очистване) на пластините след химичното ецване
• Йонно ецване

Епитаксия

• Същност и механизъм на епитаксиалното израстване
• Методи и съоръжения за епитаксия
• Получаване на епитаксиални слоеве от силиций
• Получаване на интерметални епитаксиали и слоеве
• Параметри на епитаксиалините слоеве
• Стандартна епитаксиални структури

Диелектрични слоеве в полупроводниковото производство

• Слоеве от силициев двуокис
• Силициев нитрид (Si3 N4)
• Други диелектрични покрития

Дифузия на примеси

• Същност и значение из дифузията
• Разпределение на примесите и формиране на преходи при дифузия
• Дифузия от газова среда
• Дифузия от течна и твърда среда
• Параметри и контрол на дифузионните слоеве

Йонно легиране (йонна имплантация). Електроннолъчева и лазерна технология за образуване на PN преходи

• Йонно легиране
• Електроннолъчева и лазерна технология за образуване на PN преходи

Фотолитография. Електронна и рентгенова литография

• Фотолитография
• Електронна литография
• Рентгенова литография

Методи за нанасяне на тънки слоеве

• Вакуумно изпарение
• Катодно разпрашване
• Структура и свойства на тънките слоеве

Монтаж на полупроводниковите прибори и видове корпуси

• Технологични схеми за монтаж на полупроводникови прибори
• Корпуси за полупроводниковите прибори
• Методи за херметизация

Технологични схеми за производство на полупроводникови прибори

• Технологична схема за производство на маломощни планарно-епитаксиални силициеви диоди
• Технологична схема за производство на силициеви бързопревключващи маломошни планарно-епитаксиални транзистори
• Технологична схема за производство на елемент (транзистор-резистор) от биполярна интегрална схема с изолиращ PN преход
• Технологична схема на основните етапи за образуване на MOS транзистор с индуциран P канал
• Технологична схема за производство на MOS транзистори с индуциран N канал и силициев гейт за МОС ИС
• Принципна технологична схема за производство на меза-транзистори

Нови и специални технологии

• Технологии, използващи силициев нитрид и йонно легиране
• Технология за производството на оптоелектронни полупроводникови прибори
• Технология за производство на полупроводникови дискретни и интегрални тензодатчици

Производствени изпитвания на полупроводникови прибори

• Изпитване на полупроводниковите прибори в режим на продължителна работа
• Механични и климатични изпитвания
• Надеждност на полупроводниковите прибори

Конструктивно и технологично проектиране

• Кратки теоретични предпоставки
• Задание на проекта
• Изчисляване на основните електрически и технологични параметри

Перспективи за развитие на полупроводниковото производство

• Перспективи в производството на полупроводникови прибори и интегрални схеми
• Перспективни направления в технологията на полупроводниковото производство